N-Kanal-Transistor, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V - IRFI840G

N-Kanal-Transistor, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V - IRFI840G. N-Kanal-Transistor, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohm 40W. Gehäuse: TO-220-F. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.