TLP181. Anzahl der Terminals: 4. Ausgang: Transistorausgang. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 100...600 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diode IF: 50mA. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4C1. Gehäuse: SO-4. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P181G. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kollektorstrom: 50mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang, AC-Adapter, I/O-Schnittstellenkarte. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Tf (Typ): 3us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50