Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.85€ | 3.39€ |
5 - 9 | 2.70€ | 3.21€ |
10 - 24 | 2.56€ | 3.05€ |
25 - 36 | 2.42€ | 2.88€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.85€ | 3.39€ |
5 - 9 | 2.70€ | 3.21€ |
10 - 24 | 2.56€ | 3.05€ |
25 - 36 | 2.42€ | 2.88€ |
TLP181. CTR: 100...600 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P181G. Ausgang: Transistorausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 3us. Gehäuse: SO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4C1. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: AC-DC-Eingang, AC-Adapter, I/O-Schnittstellenkarte. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
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