Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TLP181

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TLP181. CTR: 100...600 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P181G. Ausgang: Transistorausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 3us. Gehäuse: SO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4C1. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: AC-DC-Eingang, AC-Adapter, I/O-Schnittstellenkarte. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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