N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC40

N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFBC40. N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.