N-Kanal-Transistor IRF620, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 260pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08