N-Kanal-Transistor IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 23.3nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. C(in): 540pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 200V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Funktion: Hochstromschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.83K/W. Herstellerkennzeichnung: IRF630. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 90pF. Leistung: 82W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 9.5A. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08