Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B

N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B
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N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B. N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 3.3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VGS @10V. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 11:25.

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IRF610

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N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=...
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N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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