N-Kanal-Transistor IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 8.2nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 140pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drain-Source-Spannung: 200V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 53pF. Leistung: 36W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 3.3A, 2.1A. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 1.5 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08