N-Kanal-Transistor FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1220pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41