N-Kanal-Transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 830pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 76A. Kanaltyp: N. Kosten): 195pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 43W. RoHS: ja. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41