N-Kanal-Transistor, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123

N-Kanal-Transistor, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123. N-Kanal-Transistor, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 150mA. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 23pF. Kosten): 6pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 600mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 14:25.