N-Kanal-Transistor 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.22 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1100pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3679. Kosten): 140pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 3.2us. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25