N-Kanal-Transistor FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
3.67€
5-24
3.32€
25-49
3.02€
50-99
2.81€
100+
2.40€
Menge auf Lager: 66

N-Kanal-Transistor FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2100pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kosten): 175pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF9N90C
31 Parameter
ID (T=100°C)
2.8A
ID (T=25°C)
8A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.12 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2100pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
32A
Kanaltyp
N
Kosten)
175pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
68W
RoHS
ja
Spec info
Zero Gate Voltage Drain Current
Td(off)
100 ns
Td(on)
50 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
550 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild