N-Kanal-Transistor 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

N-Kanal-Transistor 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

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N-Kanal-Transistor 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.46 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 740pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 28A. Kanaltyp: N. Kosten): 105pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 2.3 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fuji Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK3530-01MR
29 Parameter
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
7A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.46 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
740pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
28A
Kanaltyp
N
Kosten)
105pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
RoHS
ja
Td(off)
40 ns
Td(on)
21 ns
Technologie
Super FAP-G Series POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
2.3 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fuji Electric

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