Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605

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N-Kanal-Transistor, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - 2SK2605. N-Kanal-Transistor, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1800pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 03:25.

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