STP6NK90Z

STP6NK90Z. C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.