N-Kanal-Transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
8.82€
5-24
8.28€
25-49
7.81€
50-74
7.39€
75+
6.69€
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N-Kanal-Transistor 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 1300pF. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Feldeffekttransistor MOS II.5. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:03

Technische Dokumentation (PDF)
2SK1358
23 Parameter
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
300uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.1 Ohms
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Spannung Vds(max)
900V
Betriebstemperatur
-...+150°C
C(in)
1300pF
Funktion
High Speed, tr--25nS tf--20nS
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
27A
Kanaltyp
N
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
Td(off)
100 ns
Td(on)
40 ns
Technologie
Feldeffekttransistor MOS II.5
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba

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