N-Kanal-Transistor 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2040pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: High Speed, H.V. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2611. Kosten): 190pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 1.6us. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31