N-Kanal-Transistor BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 4pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Kanaltyp: N. Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Technologie: Feldeffekttransistor. Transistortyp: JFET. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30