N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SC-67 ). Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3799. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 96pF. Kosten): 29pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 2.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3850. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 9 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Kosten): 45pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1.4us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3878. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-3PN. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3911. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 92A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2400pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 52A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4012. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS VI). G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( 2-10U1B ). Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1400pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 18A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4013 Q. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS IV). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (U-MOS III)

N-Kanal-Transistor, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 2900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochstrom-Schaltanwendungen. Id(imp): 180A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4075. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: Leistungs-MOSFET, Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3400pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. IDss (min): n/a. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (MOS VI). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: V-MOS. Pd (Verlustleistung, max): 100W

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5 Ohms. Spannung Vds(max): 850V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 150W

N-Kanal-Transistor, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS. Hinweis: (F)

N-Kanal-Transistor, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 900pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 12A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. ID (T=25°C): 0.6A. IDSS (max): 0.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.8A. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Funktion: Relaisantrieb, Motorantrieb

N-Kanal-Transistor, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 25A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: F-II Series POWER MOSFET

N-Kanal-Transistor, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SSFP. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 7pF. Kosten): 5.9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.3V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.4V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-343, 12.5V, 30mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-343. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1V. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

N-Kanal-Transistor, 0.035 Ohms, TO-247AC, 1200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung (Vds): 1200V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 52A. Leistung: 228W. Eingebaute Diode: ja

N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. IDss (min): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ALF08P20V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 5.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 22m Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 16.8 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 23.4m Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 621pF. Kosten): 118pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. C(in): 520pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS