N-Kanal-Transistor, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - 2SK904

N-Kanal-Transistor, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - 2SK904. N-Kanal-Transistor, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 900pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 12A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.