N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 4500pF. Kosten): 2000pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 360A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.012 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 81 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 4000pF. Kosten): 1300pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 390A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 150W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP064NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 60V, 70A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP064PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 21 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.077 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1700pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9140. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 180W. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5600pF. Kosten): 1310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 310W. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 31A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.51 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 131W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET

N-Kanal-Transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2800pF. Kosten): 1100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFP150. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 42A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP150NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 42A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP150PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3450pF. Kosten): 513pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 88A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 277W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9240. Gewicht: 4.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP240PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 20A. Leistung: 150W

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 2159pF. Kosten): 315pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 186 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, TO-247AC, 200V, 30A, 200V, 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Herstellerkennzeichnung: IRFP250NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2159pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 214W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 30A. Leistung: 214W

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP250PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 250V, 23A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP254PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 74 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 4057pF. Kosten): 603pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 268 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 200A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Gewicht: 5.57g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 200V, 50A, 280W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 280W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP260NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4057pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 46A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP260PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 5400pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schnelles Umschalten, dynamisches dv/dt. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V