MJ15022
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.66€ | 4.36€ |
| 5 - 9 | 3.48€ | 4.14€ |
| 10 - 24 | 3.30€ | 3.93€ |
| 25 - 29 | 3.11€ | 3.70€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 4 | 3.66€ | 4.36€ |
| 5 - 9 | 3.48€ | 4.14€ |
| 10 - 24 | 3.30€ | 3.93€ |
| 25 - 29 | 3.11€ | 3.70€ |
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MJ15022. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15023. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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