Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - IRFU9024

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - IRFU9024
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P-Kanal-Transistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - IRFU9024. P-Kanal-Transistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 09:25.

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P-Kanal-Transistor, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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