Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFU420

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IRFU420. C(in): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 06:25.

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Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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