Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK1170

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2SK1170. C(in): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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