Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF530N. C(in): 920pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 93 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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