Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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HGTG5N120BND

HGTG5N120BND
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HGTG5N120BND. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N120BND. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.

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