Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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UF4003

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UF4003. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S. Bestandsmenge aktualisiert am 25/04/2025, 05:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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