FJL6820
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 23.16€ | 27.56€ |
| 2 - 2 | 22.00€ | 26.18€ |
| 3 - 4 | 20.85€ | 24.81€ |
| 5 - 9 | 19.69€ | 23.43€ |
| 10 - 14 | 19.22€ | 22.87€ |
| 15 - 19 | 18.76€ | 22.32€ |
| 20+ | 18.07€ | 21.50€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 1 | 23.16€ | 27.56€ |
| 2 - 2 | 22.00€ | 26.18€ |
| 3 - 4 | 20.85€ | 24.81€ |
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FJL6820. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 20A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: 19-Zoll-Monitor. Spec info: VEBO 6V. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.
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Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 12:1. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 17A. Ic(Impuls): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5583. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: „Triple-Diffusion-Mesa-Typ“
Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 12:1. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 17A. Ic(Impuls): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5583. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: „Triple-Diffusion-Mesa-Typ“
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 25
Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 25
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