Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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DB106. VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 13:25.

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