Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

S1WB60B

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S1WB60B. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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