Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RHRP15120

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RHRP15120. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast Diode. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.

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MUR15120L

MUR15120L

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM...
MUR15120L
Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.9V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Ultraschnelle Erholungsdiode. Hinweis: ultraschnelle Diode. Spec info: Ifsm 110Ap
MUR15120L
Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.9V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Ultraschnelle Erholungsdiode. Hinweis: ultraschnelle Diode. Spec info: Ifsm 110Ap
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