BUZ72A
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.74€ | 2.07€ |
| 5 - 9 | 1.65€ | 1.96€ |
| 10 - 24 | 1.57€ | 1.87€ |
| 25 - 49 | 1.48€ | 1.76€ |
| 50 - 99 | 1.44€ | 1.71€ |
| 100 - 249 | 1.41€ | 1.68€ |
| 250+ | 1.34€ | 1.59€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 4 | 1.74€ | 2.07€ |
| 5 - 9 | 1.65€ | 1.96€ |
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| 50 - 99 | 1.44€ | 1.71€ |
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BUZ72A. C(in): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.
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C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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