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NPN-Transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V - BD244CG

NPN-Transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V - BD244CG
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NPN-Transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V - BD244CG. NPN-Transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.

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