Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

UF5404

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UF5404. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Originalprodukt vom Hersteller Dc Components Co.. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.

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UF5408

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Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-20...
UF5408
Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C
UF5408
Gehäuse: DO-201. VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (9.5x5.6mm)....
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Gewicht: 0.4g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Gewicht: 0.4g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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