Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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BD241C-ST

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BD241C-ST. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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