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Halbleiter Transistoren

BC636

BC636

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Set mit 10

BC636. C(in): 110pF. Kosten): 9pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Produktionsdatum: 1997.04. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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