Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK3114. C(in): 550pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1.3us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: POWER-Schalt-MOSFET, industrielle Verwendung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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