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2SK1117. C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 300uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.
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