Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SD2499-PMC

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NPN-Transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SD2499-PMC. NPN-Transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 16:25.

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NPN-Transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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