2SD2499

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5 - 9	2.97€	3.53€
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25 - 49	2.66€	3.17€
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2SD2499. BE-Widerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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