Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

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2SA916. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Kollektorstrom: 0.05A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. CE-Diode: ja
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