NPN-Transistor, 1A, TO-126B-A1, 35V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SC1846

NPN-Transistor, 1A, TO-126B-A1, 35V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SC1846. NPN-Transistor, 1A, TO-126B-A1, 35V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126B-A1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 340. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Ic(Impuls): 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.