Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N4150

1N4150
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1N4150. Vorwärtsstrom (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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