Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

1N4150

1N4150
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1N4150. Vorwärtsstrom (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Inc.. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..5uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.45A. Schwellenspannung Vf (max): 1V. VRRM: 100V
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