Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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ZTX450

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ZTX450. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX550. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC337-25
Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BC639-16

BC639-16

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maxim...
BC639-16
Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC639-16
Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BC639

BC639

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration:...
BC639
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640
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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640
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BC33725

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Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn:...
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Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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ZTX451

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Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn:...
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Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX551. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX551. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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