VS-GBPC3510WPBF, 35A, 1 kV, 475A
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VS-GBPC3510WPBF, 35A, 1 kV, 475A. Nennstrom [A]: 35A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 475A. Anzahl der Terminals: 4. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: 28.6x28.6x7.7mm. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:53
VS-GBPC3510WPBF
11 Parameter
Nennstrom [A]
35A
Spitzenspannung Urrm [V]
1 kV
Spitzenstrom Ifsm [A]
475A
Anzahl der Terminals
4
Gehäuse
28.6x28.6x7.7mm
Komponentenfamilie
Diodenbrücke (Graetz)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Schwellenspannung Uf [V]
1.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)