VNP35N07

VNP35N07. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): MOSFET. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNP35N07. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 100 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Verwendet für: Ilim= 35A IR= -50A. Spannung Vds(max): 70V. Vin-Eingangsspannung (max): 18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.