Überspannungsschutzdioden

Haltespannung in Schließrichtung [V]: 171V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 190V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 200V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 210V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchbruchspannung: 200V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-201

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 171V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 190V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 200V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 210V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 21V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 20V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 17.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 19V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 21V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 185V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 209V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 220V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 231V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 185V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 23.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 20.5V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.8V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 24V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 20.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 24V

RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 250V

RoHS: ja. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 250V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 27V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 23.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 25.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 27V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 23.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 256V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 285V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 300V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 315V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 256V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 256V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 285V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 300V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 263V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 256V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 25.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 28.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 30V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 25.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. VRRM: 30 v

RoHS: ja. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 30 v. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 30 v

Ubr [V] bei Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchbruchspannung (Min): 31.4V. Spannung: 45.7V. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 33A. Produktserie: 1.5KE. Durchbruchspannung: 33V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Gehäuse: DO-201

Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchbruchspannung: 33V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: bidirektional. Gehäuse: DO-201

Durchbruchspannung: 350V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 299V. Gehäuse: DO-201

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. VRRM: 36V

RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 36V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. VRRM: 36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 39V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 41V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 39V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 41V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 39V