Überspannungsschutzdioden

Durchbruchspannung: 400V. Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-201. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 400V. Leistung: 1500W. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 342V

Ubr [V] bei Ibr [A]: 400V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 420V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 342V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse: DO201. Montageart: THT. Spitzenverlustleistung: 1500W. Rückwärts-Abstandsspannung: 342V. Durchbruchspannung (Min): 380V. Spannung: 548V. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 4A. Produktserie: 1.5KE

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 43V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 45.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 43V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 376V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 418V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 440V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 462V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 376V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 376V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 418V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 440V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 462V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 376V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Ubr [V] bei Ibr [A]: 47V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 49.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 40.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 47V

Ubr [V] bei Ibr [A]: 47V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 49.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 40.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 47V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 43.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 48.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 51V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 43.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 47.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 56V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 47.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 47.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Durchbruchspannung: 56V. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 53V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 62V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 65.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 53V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 53V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.9V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 62V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 65.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 53V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 58.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 64.6V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 68V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 71.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 58.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 68V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 58.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 64.6V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 68V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 71.4V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 58.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.8V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Ubr [V] bei Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V

RoHS: ja. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 82V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 5.4x7.5mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 7V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.79V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.2V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.61V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 200uA @ 7V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 7.02V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.79V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.2V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.61V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 200uA @ 7.02V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Haltespannung in Schließrichtung [V]: 77.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 91V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 77.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchbruchspannung: 91V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-201

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 77.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 91V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 77.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 20V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 19V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 21V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 20V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C