1-5KE20A
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1-5KE20A. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse: CB 429. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 17.1V. IFSM: 200A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 21V @ 1mA. VRRM: 20V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 24/11/2025, 03:42
1-5KE20A
20 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
Dielektrische Struktur
unidirektional
Durchlassspannung Vf (min)
3.5V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse
CB 429
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
17.1V
IFSM
200A
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 17.1V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
1500 W @ 1ms
Pd (Verlustleistung, max)
1.5 kW
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
5V
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
21V @ 1mA
VRRM
20V
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.